onsemi KSC5603DTU
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-06-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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TRANS NPN 400V 2A TO220-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 2 A 50 W Through Hole TO-220-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC5603DTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
KSC5603D Series 800 V 3 A Through Hole NPN Silicon Transistor - TO-220-3
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2.5V@ 200µA,1A NPN 100W 12V 100μA 1.6KV 800V 3A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
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Transistor, Npn, 800V, 3A, To-220-3; |Onsemi KSC5603DTU
TRANSISTOR, NPN, 800V, 3A, TO-220-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 800V; Transition Frequency ft: 5MHz; Power Dissipation Pd: 100W; DC Collector Current: 3A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Transist
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.6 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage800 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)800 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Frequency5 MHz
Gain Bandwidth Product5 MHz
hFE Min20
Max Collector Current3 A
Max Frequency5 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation100 W
Transition Frequency11 MHz
Voltage Rating (DC)800 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen