onsemi KSC5502TU
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
onsemiKSC5502DTTU
Npn Triple Diffused Planar Silicon Transistor/Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSC5502DTTU
NXP SemiconductorsBUJD203A,127
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 425V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NXP SemiconductorsBUJ303A,127
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC5502TU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
KSC Series NPN 50 W 600 V 2 A High Voltage Silicon Transistor - TO-220-3
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1.5V@ 200mA,1A NPN 50W 12V 100μA 1.2KV 600V 2A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Trans GP BJT NPN 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Bipolar Transistors - BJT NPN Planar Silicon
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min4
Max Collector Current2 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation50 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen