onsemi KSC2669OBU
Obsolete
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-04-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
onsemiKSC2669YTA
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 2mA 12V 30mA 200mW 250MHz
onsemiFJNS3206RTA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiKSC2001YBU
Bulk Through Hole NPN KSC2001 Bipolar (BJT) Transistor 135 @ 100mA 1V 700mA 600mW 170MHz
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSC2669OBU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bulk Through Hole NPN Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 2mA 12V 30mA 200mW 250MHz
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, LEAD FREE, TO-92S, 3 PIN
Trans GP BJT NPN 30V 0.03A 3-Pin TO-92S Bulk
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)35 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Continuous Collector Current30 mA
Current Rating30 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min70
Max Collector Current30 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Datenblätter und Dokumente
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