onsemi KSB1116SYTA
$ 0.055
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2010-03-15
LTD Date2010-09-15
Verwandte Teile
onsemiKSB1116GTA
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
onsemiKSB1116AGTA
TRANS PNP 60V 1A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 1 A 120MHz 750 mW Through Hole TO-92-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSB1116SYTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Trans GP BJT PNP 50V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min135
Max Collector Current1 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation750 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation750 mW
Transition Frequency120 MHz
Voltage Rating (DC)-50 V
Datenblätter und Dokumente
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