onsemi KSB1015YTU
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi KSB1015YTU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
1V@ 300mA,3A PNP 25W 7V 100¦ÌA 60V 60V 3A TO-220F-3 10.16mm*4.7mm*9.19mm
TO-220F-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Transistor, Pnp, -60V, -3A, To-220F-3; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:-60V; Transition Frequency Ft:9Mhz; Power Dissipation Pd:25W; Dc Collector Current:-3A; Dc Current Gain Hfe:100Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB1015YTU
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency9 MHz
Gain Bandwidth Product9 MHz
hFE Min100
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency9 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height15.87 mm
Length10.16 mm
Width2.54 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen