onsemi IRLM120ATF
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Obsolete
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Lieferkette
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Verwandte Teile
InfineonBSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4 N-Channel 75 V 2.3A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
InfineonBSP372NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRLM120ATF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Transistor, mosfet, n-Channel,100V V(Br)Dss,2.3A I(D),sot-223 Rohs Compliant: Yes |Onsemi IRLM120ATF
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
100V 2.3A 220m´Î@5V1.15A 2.7W 2V@250uA 39pF@25V N Channel 340pF@25V 10.2nC@5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 MOSFETs ROHS
2.7W(Tc) 20V 2V@ 250µA 15nC@ 5 V 1individualNChannel 100V 220mΩ@ 1.15A,5V 2.3A 440pF@25V SOT-223-4 SMD mount 1.7mm(height)
N-Channel A-FET 200V, 1.13A, 800mΩ
MOSFETs 100V N-Channel a-FET Logic Level
IRLM120ATF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance440 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.7 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.7 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen