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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRF540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-220AB;PD 130W;-55deg
InfineonIRL540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;TO-220AB;PD 140W;VGS +/-16V
InfineonIRF540ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 21Milliohms;ID 36A;TO-220AB;PD 92W;gFS 36V
NexperiaBUK7575-100A,127
N CH MOSFET, TRENCH AUTO, 100V, 75A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Co
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRL540A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Tube Through Hole N-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 28A Tc 121W Tc 100V -55C~175C TJ
N-CH/LL/100V/28A/0.052OHM@VGS=5V/Substitute of IRL540
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
121W(Tc) 2V@ 250¦ÌA 54nC@ 5V 1individualNChannel 100V 58m¦¸@ 14A,5V 1.58pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
100V N-Channel Logic Level A-FET / Substitute of IRL540
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.58 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation121 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingRail/Tube
Power Dissipation121 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height18.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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