Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFW840BTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 500V N-Channel B-FET
3.13W 30V 41nC@ 10V 1individualNChannel 500V 800mΩ@ 10V 8A 1.4nF@ 25V TO-263 SMD mount，glue mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation134 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height4.95 mm
Datenblätter und Dokumente
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