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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMG7401SFG-13
P-Ch MOSFET 30V 9.8A 11mΩ@12A,20V 25V 3V@250µA 58nC@10V 2.987nF@15V 940mW(Ta) PDI-33338 SMD
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi IRFS634B, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
250V N-CHANNEL MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation38 W
Rise Time75 ns
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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