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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-10-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Verwandte Teile
InfineonIPB80N06S4L07ATMA2
60V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
InfineonIPB80N06S4L07ATMA2
60V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
VishaySUM90N06-5M5P-E3
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi HUF76445S3ST, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
75 A 60 V 0.008 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-263AB
PWR MOS ULTRAFET 60V/75A/0.0085OHMS N-CH LL TO-263AB T&R
MOSFETs 75a, 60V, 0.0075 Ohm Logic Level N-Ch
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time135 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance4.965 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation310 W
Rds On Max6.5 mΩ
Rise Time126 ns
Turn-Off Delay Time62 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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