onsemi FQPF65N06

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 40 A, 16 mΩ, TO-220F
Obsolete
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Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
FarnellFQPF65N0601
11h
element14 APACFQPF65N0601
1h
Win SourceWS-FQPF65N06300.000100
13h
Worldway ElectronicsFQPF65N0616.9217Tube
1d
AztechFQPF65N06867
2d

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren
Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Factory Futures

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-07-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

Verwandte Teile

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Details
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VishayIRFIZ44GPBF
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Details
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Details
STMicroelectronicsSTP60NF06FP
Transistor MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin (3+Tab) TO-220FP
Details
InfineonIRFIZ48NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.016Ohm;ID 36A;TO-220 Full-Pak;PD 42W;-55de
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQPF65N06, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 40 A, 16 mΩ, TO-220F
onsemi
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Verical
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
ODG (Origin Data Global)
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:56W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:56W; Power Dissipation Pd:56W; Pulse Current Idm:160A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
TME
iiiC
element14 APAC
iiiC
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd