onsemi FQPF3N50C
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
onsemiFDPF5N50UT
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM, Ultra FRFETTM MOSFET 500 V, 4 A, 2 Ω, TO-220F
STMicroelectronicsSTP4NK60ZFP
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP
onsemiFDPF5N50NZF
N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.2A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQPF3N50C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
25W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 13nC@ 10V 1N 500V 2.5¦¸@ 1.5A,10V 365pF@25V TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs N-CH/400V/ .6A/3.4OHM
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance365 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time25 ns
Turn-Off Delay Time35 ns