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3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQP70N08 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTP80NF10FP
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET(TM) POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTP110N8F7
N-channel 80 V, 6.4 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
STMicroelectronicsSTP140N6F7
N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP70N08, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 80V 70A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 80V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)70 A
Current Rating70 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance17 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time145 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation155 W
Rds On Max17 mΩ
Rise Time300 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Datenblätter und Dokumente
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