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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQP4N20 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP4N20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
200V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 200V 3.6A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.6A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 1.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 4
MOSFET, N TO-220MOSFET, N TO-220; Transistor type:MOSFET; Transistor polarity:N; Voltage, Vds max:200V; Case style:TO-220; Current, Id cont:3.6A; Current, Idm pulse:14.4A; Power, Pd:45W; Resistance, Rds on:1.5R; Capacitance, Ciss RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Current Rating3.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance220 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max1.4 Ω
Rise Time50 ns
Turn-Off Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQP4N20 herunter.