onsemi FQP11N40
$ 0.99
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
VishaySIHF10N40D-E3
VISHAY SIHF10N40D-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 10 A, 400 V, 0.5 ohm, 10 V, 3 V
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP11N40, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
147W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 35nC@ 10V 1N 400V 480m¦¸@ 5.7A,10V 1.4pF@25V TO-220-3
400V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 400V 11.4A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 400V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 400V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating11.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation147 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Datenblätter und Dokumente
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