Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -14.29%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQP11N40 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQP11N40, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 400V 11.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 400V, 0.48ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
147W(Tc) 5V@ 250µA 35nC@ 10V 1individualNChannel 400V 480mΩ@ 5.7A,10V 1.4pF@25V TO-220-3 Through hole mounting
MOSFETs 400V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -14.29%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.4 A
Current Rating11.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance480 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation147 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation147 W
Rds On Max480 mΩ
Rise Time100 ns
Turn-Off Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQP11N40 herunter.