onsemi FQB17P10TM
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Verwandte Teile
InfineonIRF530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;D2Pak;PD 70W;VGS +/-20V
InfineonIRL530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
InfineonIRL530NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 17A;D2Pak;PD 79W;VGS +/-20V;Qg 34
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQB17P10TM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK / Trans MOSFET P-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFETs 100V P-Channel QFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating-16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Datenblätter und Dokumente
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