onsemi FQAF5N90
$ 1.339
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQAF5N90 | 220 | 210 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQAF5N90 | 220 | 13h | |||||||||
| Microchip USA | FQAF5N90 | 148 | 3K | Tube | 5h | |||||||
| Component Stockers USA | FQAF5N90 | 259 | 1d | |||||||||
| Win Source | WS-FQAF5N90 | 15.000 | 40 | 14h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQAF5N90 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-10-05
LTD Date2007-04-05
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQAF5N90, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 900V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-3PF
N-Channel 900V 4.1A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PF
Not available to order 900V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Current Rating4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance2.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.55 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max2.3 Ω
Rise Time65 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Datenblätter und Dokumente
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