Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
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Staffelpreise
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FQAF19N20 herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FQAF19N20, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
85W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 40nC@ 10V 1N 200V 150m¦¸@ 7.5A,10V 1.6pF@25V TO-3PF
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 200V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Current Rating15 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation85 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time190 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height29.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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