Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Win Source | WS-FJB3307DTM | 8.000 | 35 | 2h | ||||||||
| Worldway Electronics | FJB3307DTM | 8.151 | 7 | Tape & Reel | 3h | |||||||
| Anlinkda | FJB3307DTM | 40.958 | 2d | |||||||||
| SHENGYU ELECTRONICS | FJB3307DTM | 10.629 | 1 | 4d | ||||||||
| ALLICDATA ELECTRONICS | FJB3307DTM | 1.000 | Tape & Reel | 1d |
CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-04-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FJB3307DTM, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans GP BJT NPN 400V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin
High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
TRANSISTOR, NPN, 400V, 8A, D2PAK; Transi; TRANSISTOR, NPN, 400V, 8A, D2PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:1.72W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; Package / Case:3-D2-PAK
The FJB3307D is a 700 V 8 A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. The FJB3307D is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard surface mount TO-263 (D2PAK)package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Continuous Collector Current8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min5
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current8 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.72 W
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm