onsemi FDZ391P
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-09-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
onsemiFDMA6023PZT
Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
VishaySI2301CDS-T1-E3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
NXP SemiconductorsPMDPB65UP,115
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP2160U-7
DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDZ391P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET -20V, -3A, 85mΩ
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:P Channe
Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):74mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "low pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ391P minimizes both PCB space and RDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low gate charge, and low RDS(on).
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight64 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.065 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height400 µm
Length1 mm
Width1.5 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen