onsemi FDW2507N
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-06-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDW2507N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
1.5V@ 250µA 28nC@ 4.5V 2individualNChannel 20V 19mΩ@ 7.5A,4.5V 2.152nF@10V TSSOP-8 SMD mount
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSSOP T/R
20V/12V,19/23MO,NCH,COMMON DRAIN,TSSOP8,300A GOX
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs N-Channel 2.5V Common Drain
MOSFET, DUAL, N, SMD, TSSOP-8; Transistor Type:PowerTrench; Transistor Polarity:NN; Voltage, Vds Typ:20V; Current, Id Cont:7.5A; Resistance, Rds On:0.019ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.8V; Case Style:TSSOP; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:30A; No. of Pins:8; Power, Pd:1.6W; SMD Marking:2507N; Typ Capacitance Ciss:2152pF; Voltage, Vds Max:20V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Current Rating7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance19 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance2.152 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max19 mΩ
Rise Time13 ns
Threshold Voltage800 mV
Turn-Off Delay Time35 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Datenblätter und Dokumente
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