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onsemi FDU8882

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.0115 ohm, TO-251AA, Through Hole
Production
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Anlinkda
FDU8882
53.786
USD
0,277
0,248
0,226
0,217
0,213
22h
SHENGYU ELECTRONICS
FDU8882
13.151
1
USD
0,153
0,150
0,150
0,140
0,130
3d
Fly-Wing Technology
FDU8882
1.089
USD
4,738
3,887
3,766
3,523
3,523
1d
XingHuan International
2
FDU8882
60.000
>1wk
Easev
FDU8882
4.086
>1wk

Datenblätter und Dokumente

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IHS

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Farnell

Arrow Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-100%
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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02

Verwandte Teile

onsemiFDU8880
MOSFETs 30V,58A,10 OHM, NCH PWR TRENCH MOSFET
Details
InfineonIRFU3707ZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7.5Milliohms;ID 56A;I-Pak (TO-251AA);PD 50W
Details
onsemiNTD4810N-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 54A Tc 54A 2W 2.6ns
Details
onsemiNTD4810N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 54A Tc 54A 2W 2.6ns
Details
onsemiNTD4979N-35G
MOSFET N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME / Trans MOSFET N-CH 30V 12.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Details
InfineonIPS090N03LGAKMA1
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDU8882, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 55 A, 0.0115 ohm, TO-251AA, Through Hole
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
IHS
55W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 33nC@ 10V 1individualNChannel 30V 11.5mΩ@ 35A,10V 55A 1.26nF@15V TO-251 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.3mm
UnikeyIC
MOSFET, N, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):11.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Transistor Case Style:I-PAK; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Alternate Case Style:TO-251; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Length:9.8mm; Lead Spacing:2.285mm; No. of Transistors:1; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:55W; Pulse Current Idm:50A; Reverse Recovery Time trr Typ:82ns; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • ON SEMICOND
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • onsemi / Fairchild
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd