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Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDS6675BZ, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

P-Channel 30 V 21.8 mOhm 2.5 W Power Trench Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -11A, 13mΩ

onsemi

Transistor: P-Mosfet; Unipolar; -30V; -11A; 2.5W; So8

Sensible Micro

-30 V, -11 A, 13 MILLI OHM P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

ComSIT Distribution GmbH

This P-Channel MOSFET is producted using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

FDS6675BZ.

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -50.12%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight130 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)11 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance13 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Dual Supply Voltage-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time60 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance2.47 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs-2 V

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max13 mΩ

Resistance21.8 MΩ

Rise Time7.8 ns

Schedule B8541290080

TerminationSMD/SMT

Threshold Voltage-2 V

Turn-Off Delay Time120 ns

Turn-On Delay Time3 ns

Dimensions

Height1.5 mm

Length5 mm

Width4 mm