onsemi FDP10AN06A0
$ 1.238
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Vertriebspartner
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Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Verwandte Teile
InfineonIRF1018EPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 7.1Milliohms;ID 79A;TO-220AB;PD 110W;-55deg
InfineonIRFZ48VPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 12 Milliohms;ID 72A;TO-220AB;PD 150W;gFS 35S
InfineonIRF1010EZPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 6.8Milliohms;ID 84A;TO-220AB;PD 140W;-55deg
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDP10AN06A0, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220AB, SINGLE, N-CH, 60V, 0.0105 OHM ULTRAFET TRENCH MOS
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFETs 60V, 75a 0.0105Ohms/VGS=10V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Current Rating75 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance10.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.84 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max10.5 mΩ
Rise Time128 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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