onsemi FDMS86369-F085
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-03-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2021-08-01
LTD Date2022-02-01
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
Verwandte Teile
InfineonBSC072N08NS5ATMA1
Trans MOSFET N-CH 80V 74A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R, PG-TDSON-8, RoHS
onsemiFDWS86369-F085
N-Ch MOSFET 80V 65A 7.5mΩ@10V 20V 4V@250µA 46nC@10V 2.47nF@40V 107W(Tj) SMD 6mm × 5mm × 1.1mm
onsemiFDMC86340ET80
PT7 N-ch 80/20V Power Trench MOSFET - 8LD, PQFN, POWERCLIP SINGLE, JEDEC, MO-240, 3.3X3.3 MM
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS86369-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 65A, 7.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 80V 65A Automotive 8-Pin Power 56 EP T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80 V, 65 A, 7.5 mΩ
Embedded - Microcontrollers 1 (Unlimited) 20-LSSOP (0.173, 4.40mm Width) 13 768 x 8 Internal LED, POR, Voltage Detect, WDT Surface Mount Tube 16-Bit IC MCU 16BIT 12KB FLASH 20LSSOP
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight172.8 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)65 A
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)80 V
Element ConfigurationSingle
Input Capacitance2.47 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation107 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max7.5 mΩ
Schedule B8541290080
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen