onsemi FDMS86180
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMS86180, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 100V, 151A, 3.2mΩ
N-Channel 100 V 3.2 mOhmShielded Gate PowerTrench Mosfet - Power56
Transistor MOSFET N-CH 100V 151A 8-Pin Power 56 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 151A I(D), 100V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET 100V Drain to Source Voltage 151A Continuous Drain Current 138W Power Dissipation Surface Mount 8-Pin PQFN T/R
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -31.34%
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)151 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance3.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation138 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation138 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen