onsemi FDMC8010
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMP3010LPS-13
Single P-Channel 30 V 10 mOhm 59.2 nC 2.18 W Silicon SMT Mosfet - POWERDI5060-8
Diodes Inc.DMP3010LPSQ-13
P-Channel 30 V 7.5 mOhm 126.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - PowerDI
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC8010, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 3 W 94 nC Silicon Surface Mount Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
30 V, 75 A, 1.3 MILLI OHM, N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240BA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for applications where ultra low rDS(on) is required in small spaces such as High performance VRM, POL and Oring functions.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight152.7 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance1.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.86 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation54 W
Rds On Max1.3 mΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height750 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen