onsemi FDMC7692S
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Offizielles DatenblattVor 16 Jahren
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-12-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2025-01-05
LTD Date2025-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMC7692S, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, N CH, 30V, 18A, MLP3.3X3.3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Transistor MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin WDFN T/R
N-Channel Power Trench® SyncFET™ 30V, 18A, 9.3mΩ
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.0093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 18A, 150DEG C, 2.3W;
2.3W(Ta),27W(Tc) 20V 3V@1mA 23nC@ 10V 1N 30V 9.3m¦¸@ 12.5A,10V 12.5A,18A 1.385nF@15V MLP-8 3.3mm*3.3mm*800¦Ìm
MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
This FDMC7692S is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited for power management and load switching applications common in notebook computers and portable battery packs.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight200 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.385 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max9.3 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3.3 mm
Width3.3 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen