onsemi FDMA8884
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Obsolete
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Lieferkette
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Verwandte Teile
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Diodes Inc.DMC3028LSD-13
Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8
onsemiNTMS4800NR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
InfineonBSO220N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO N-Channel 30 V 7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDMA8884, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 6.5A, 23mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-Pin MicroFET EP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
Pt8 30/20V Nch Mlp 2/Reel |Onsemi FDMA8884
1.9W(Ta) 20V 3V@ 250µA 7.5nC@ 10 V 1individualNChannel 30V 23mΩ@ 6.5A,10V 6.5A，8A 450pF@15V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*750μm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time1 ns
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Dimensions
Height750 µm
Length2 mm
Width2 mm
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen