Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDG329N herunter.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-07-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
onsemiNTA4001NT1
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 238mA Tj 238mA 300mW 15ns
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDG329N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
20V/12V, 90/115MO, NCH, SINGLE, SC70-6, 300A GOX, PTII
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TRANS MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
MOSFETs 20V N-Ch PowerTrench
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: Restocked
CAD-Modelle
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Current Rating1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance90 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance324 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation420 mW
Rds On Max90 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Datenblätter und Dokumente
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