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onsemi FDG313N

N-Channel 25 V 450 mOhm Surface Mount Digital FET Mosfet - SC-70-6
$ 0.342
Obsolete
Datenblatt
Herstellerseite

Preis und Lagerbestand

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Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Verical
8
FDG313N
18.000
952
USD
0,394
0,324
Rochester Electronics
FDG313N
285.092
USD
0,350
0,291
0,259
9h
Component Stockers USA
FDG313N
422.830
USD
0,290
0,290
0,270
0,240
0,240
2d
Win Source
WS-FDG313N
353.700
265
USD
0,176
0,147
10h
Worldway Electronics
FDG313N
24.983
7
Tape & Reel
USD
0,112
0,110
0,105
0,103
4d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi FDG313N herunter.

IHS

Datasheet6 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet5 SeitenVor 25 Jahren

element14 APAC

onsemi

Fairchild Semiconductor

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
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Lieferkette

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDG313N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 25 V 450 mOhm Surface Mount Digital FET Mosfet - SC-70-6
Future Electronics
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
Jak Electronics
MOSFET, N, SMD, 6-SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:950mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:750mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:950mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:750mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistor and small signal MOSFET.
Fairchild Semiconductor

Bilder

RS
Newark
Farnell
Newark
Farnell
iiiC
Rochester Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • FDG313N.