onsemi FDFC3N108
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
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Staffelpreise
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
Verwandte Teile
InfineonIRLMS2002TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 20V;RDS(ON) 0.03Ohm;ID 6.5A;Micro6;PD 2W;VGS +/-12V;-55d
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDFC3N108, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT6
MOSFETs 20V N-Ch 1.8V Spec PowerTrench
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
N-Channel 20V 3A (Ta) Surface Mount 6-SSOT
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance355 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation960 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation960 mW
Rds On Max70 mΩ
Rise Time7 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Datenblätter und Dokumente
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