onsemi FDD6N20TF

Name: onsemi FDD6N20TF
Brand: onsemi
SKU: FDD6N20TF

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Obsolete

Datenblatt

Preis und Lagerbestand

Autorisierte Distributoren

Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren

Nicht autorisierte Händler

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Worldway Electronics	FDD6N20TF	28.256	7	Tape & Reel		0,382	0,370	0,351	0,351	8h
Anlinkda	FDD6N20TF	62.447			0,260	0,233	0,211	0,205	0,201	16h
RC Electronics	FDD6N20TF	40.888	1		0,460	0,420	0,380	0,370	0,350	>1wk
ZTZ Technology Limited	FDD6N20TF	22.800			0,451	0,412	0,372	0,363	0,343	2d
SHENGYU ELECTRONICS	FDD6N20TF	10.961	1		0,193	0,189	0,180	0,180	0,170	3d

CAD-Modelle

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Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-06-18

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-12-02

LTD Date2009-06-02

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDD6N20TF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK

DigiKey

N-Channel 200V 4.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak

Avnet

MOSFETs 200V N-CH MOSFET

Mouser

N-CHANNEL POWER MOSFET

Bettlink

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-252-3

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Continuous Drain Current (ID)4.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance800 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance230 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation40 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation40 W

Rds On Max800 mΩ

Rise Time5.6 ns

Turn-Off Delay Time15 ns

Datenblätter und Dokumente

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IHS

Datasheet9 SeitenVor 21 Jahren

Compliance

Umweltklassifizierung

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Compliance-Erklärungen

Reach Statement8 SeitenVor 11 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 12 Jahren

Rohs Statement1 SeiteVor 14 Jahren

Reach Statement2 SeitenVor 13 Jahren

onsemi FDD6N20TF

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

IHS

Lieferkette

Verwandte Teile

Beschreibungen

Aliasnamen des Herstellers

Technische Spezifikationen

Datenblätter und Dokumente

IHS

Compliance