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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
LTB Date2007-02-28
LTD Date2007-08-29
Verwandte Teile
InfineonIRFZ44NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 17.5 Milliohms;ID 49A;D2Pak;PD 94W;VGS +/-20
InfineonIRFH8334TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
VishaySI4136DY-T1-GE3
Prices include import duty and tax. MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 20 V, 0.00155 ohm, 10 V, 1 V;
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDD6030BL, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFETs 30V N-Ch PowerTrench
3.8W 20V 22nC@ 10V 1individualNChannel 30V 16mΩ@ 10V 42A 1.143nF@ 15V TO-252 SMD mount，glue mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
NCH 30V/20V 16/22MO
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Datenblätter und Dokumente
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