onsemi FDC658P

Name: onsemi FDC658P
Brand: onsemi
SKU: FDC658P

ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V

$ 0.364

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDC658P	51.000	3K						0,291	4d
Newark	2	FDC658P	15.000	5	Cut Tape		0,927	0,611	0,611	0,611
Verical	2	FDC658P	1.310	21				0,336	0,288	0,288
Arrow Electronics	2	FDC658P	1.310	1		0,420	0,379	0,336	0,288	0,288
Rochester Electronics		FDC658P	3.000					0,358	0,297	0,265	10h

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IHS

Datasheet6 SeitenVor 3 Jahren

Datasheet5 SeitenVor 0 Jahren

Upverter

element14 APAC

onsemi

Farnell

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Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1999-02-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDC658P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

ON SEMICONDUCTOR - FDC658P - MOSFET Transistor, P Channel, 4 A, 30 V, 0.041 ohm, 10 V, 1.7 V

Fly-Wing Technology

P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -4A, 50mΩ

onsemi

MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 / Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin TSOT-23 T/R

Win Source

P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6

Future Electronics

MOSFET, P, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.7V; Power Dissipation Pd:1.6W; Transistor Case Style:SuperSOT; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-4A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SuperSOT-6; Power Dissipation Pd:1.6W; Power Dissipation Pd:1.6W; Pulse Current Idm:20A; SMD Marking:FDC658P; Termination Type:SMD; Uni / Bi Directional Polarity:P; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:-1.7V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-3V

element14 APAC

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for notebook computer applications: load switching and power management, battery charging circuits, and DC/DC conversion.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

LZChips

Jameco

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageSOT-23-6

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins6

Number of Terminals6

Weight36 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)4 A

Current Rating-4 A

Drain to Source Breakdown Voltage-30 V

Drain to Source Resistance50 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time16 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance750 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.6 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingCut Tape

Power Dissipation800 mW

Rds On Max50 mΩ

Resistance50 mΩ

Rise Time14 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage-1.7 V

Turn-Off Delay Time24 ns

Turn-On Delay Time12 ns

Voltage Rating (DC)-30 V

Dimensions

Height1.1 mm

Length3 mm

Width1.7 mm

Datenblätter und Dokumente

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