onsemi FDC6322C
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Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-11-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDC6322C, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
1.5V@ 250µA 0.7nC@ 4.5V 2N+2PChannel 25V 4Ω@ 400mA,4.5V 9.5pF@10V SMD mount
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.46A 6-Pin SuperSOT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor
Tape & Reel (TR) Surface Mount N and P-Channel Logic Level Gate Mosfet Array 220mA 460mA 700mW 25V -55C~150C TJ
25V 1/2 BR N/P, 4/1.1 O, SSOT6
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual N/P Channel; Drain Source Voltage, Vds:25V; Continuous Drain Current, Id:0.22A; On Resistance, Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:2.7V; Drain-Source Breakdown Voltage:25V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)220 mA
Current Rating220 mA
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationDual
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance9.5 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation700 mW
Rds On Max4 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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