onsemi FDBL0200N100
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen |
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDBL0200N100, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF / N-Channel 100 V 300A (Tc) 429W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 300A, 2.0mΩ
Power Field-Effect Transistor, 300A I(D), 100V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
429W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 133nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 2mΩ@ 80A,10V 300A 9.76nF@50V HPSOF-8 SMD mount 2.4mm(height)
Chip Resistor - Surface Mount 330Ohm 0603 (1608 Metric) ±1% ±100ppm/°C Thick Film Tape & Reel (TR) 2 1 (Unlimited) ERJ RES SMD 330 OHM 1% 1/10W 0603
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation429 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation429 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen