onsemi FDB2532-F085
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-09-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Verwandte Teile
VishaySUM85N15-19-E3
Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
International RectifierAUIRFS4115
Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS4115TRL
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK / N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonAUIRF6218S
Automotive Q101 -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDB2532-F085, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
310W(Tc) 20V 4V@ 250µA 107nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 16mΩ@ 33A,10V 79A 5.87nF@25V TO-263AB SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.87 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation310 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time30 ns
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen