onsemi FDB16AN08A0

Name: onsemi FDB16AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDB16AN08A0

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 75 V, 58 A, 16 mΩ

$ 1.35

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical		FDB16AN08A0	685	188					1,663	1,475
Rochester Electronics		FDB16AN08A0	685					1,600	1,330	1,180	22h
DigiKey	3	FDB16AN08A0CT-ND	2.234	1	Cut Tape	3,870	2,530	1,767	1,767	1,767
Newark		FDB16AN08A0	0	800	Tape & Reel				1,590	1,420
Onlinecomponents.com		FDB16AN08A0	0	200	Bulk				1,300	1,300

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IHS

Datasheet12 SeitenVor 12 Jahren

Master Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

_legacy Avnet

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-07-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FDB16AN08A0, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 75 V, 58 A, 16 mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

Transistor, mosfet, n-Channel,75V V(Br)Dss,9A I(D),to-263Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB16AN08A0

Newark

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Bilder

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Rochester Electronics

LZChips

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-263-3

MountSurface Mount

Number of Terminals2

Weight1.31247 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9 A

Current Rating58 A

Drain to Source Breakdown Voltage75 V

Drain to Source Resistance16 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)75 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time30 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.857 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation135 W

Min Breakdown Voltage75 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation135 W

Rds On Max16 mΩ

Rise Time82 ns

Turn-Off Delay Time28 ns

Turn-On Delay Time8 ns

Voltage Rating (DC)75 V

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