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Verwandte Teile
InfineonIRFP4229PBF
MOSFET Operating temperature: -40...+175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 150 W
STMicroelectronicsSTW52NK25Z
N-channel 250 V, 0.033 Ohm typ., 52 A, Zener protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FDA62N28, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Transistors 300V, 59A, NCH MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 280V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 280V 62A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3PN
MOSFET, N, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:280V; On Resistance Rds(on):51mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-3P; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:62A; Package / Case:TO-3P; Power Dissipation Pd:500W; Power Dissipation Pd:500W; Pulse Current Idm:248A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:280V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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3-Monats-Trend: Restocked
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Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)62 A
Drain to Source Breakdown Voltage280 V
Drain to Source Resistance51 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)280 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time220 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.63 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 W
Min Breakdown Voltage280 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation500 W
Rds On Max51 mΩ
Rise Time560 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Datenblätter und Dokumente
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