onsemi FCP165N65S3
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-08-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FCP165N65S3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 19 A, 165 mΩ, TO-220
MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 / N-Channel 650 V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 650V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Mosfet, N-Ch, 650V, 19A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.14Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCP165N65S3
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance165 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation154 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen