onsemi FCD360N65S3R0
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CAD-Modelle
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-03-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FCD360N65S3R0, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 650V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
onsemi NMOS, Vds=650 V, 10 A, DPAK (TO-252), , 3
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
650V 10A 036Ohms N Channel TO-252 DPAK
Mosfet, N-Ch, 650V, 10A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.31Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi FCD360N65S3R0
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation83 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen