onsemi FCD1300N80Z
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-07-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Verwandte Teile
InfineonIPD60R950C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5.7 A, 0.68 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STMicroelectronicsSTD7LN80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi FCD1300N80Z, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 4 A, 1.3 Ω, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. In addition, internal gate-source ESD diode allows to withstand over 2kV HBM surge stress.Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as Audio, Laptop adapter, Lighting, ATX power and industrial power applications.
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -57.14%
CAD-Modelle
0 models available
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance1.3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance880 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation52 W
Rds On Max1.3 Ω
Resistance1.3 Ω
Rise Time8.3 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 1 Jahre
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen