onsemi BUB323ZT4G

BUB323Z Series 350 V 10 A 150 W NPN SMT Silicon Power Darlington - D2PAK-3
$ 1.31
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
AvnetBUB323ZT4G1.600800
2d
NewarkBUB323ZT4G5661Cut Tape
Arrow Electronics
2
BUB323ZT4G5581
Verical
3
BUB323ZT4G1.600800
Rochester ElectronicsBUB323ZT4G518
7h

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für onsemi BUB323ZT4G herunter.

Farnell

Datasheet9 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet4 SeitenVor 19 Jahren

Newark

element14 APAC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-20.08%
Powered bySpectra logo

CAD-Modelle

Laden Sie onsemi BUB323ZT4G Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
Fußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Verwandte Teile

onsemiNJVMJD6039T4G
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 1.75 W Surface Mount DPAK
Details
onsemiFJBE2150DTU
Bipolar Transistors - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BUB323ZT4G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

BUB323Z Series 350 V 10 A 150 W NPN SMT Silicon Power Darlington - D2PAK-3
Future Electronics
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
IHS
NPN Darlington Bipolar Power Transistor
onsemi
Trans Darlington NPN 350V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Fly-Wing Technology
BIPOLAR TRANSISTOR, DARLI.; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350V; Transition Frequency ft: 2MHz; Power Dissipation Pd: 150W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 500hFE; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Current Ic Continuous a Max: 10A; Gain Bandwidth ft Typ: 2MHz; Hfe Min: 0.5; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power Bipolar
Farnell

Bilder

Newark
TME
Future Electronics
Newark
Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • BUB323ZT4G.