onsemi BD439G
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD439G, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Medium Power NPN Bipolar Power Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
Trans GP BJT NPN 60V 4A 36000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BD439 Series 60 V 4 A NPN Through Hole Silicon Transistor - TO-225
This series of plastic medium-power silicon NPN transistors can be used for amplifier and switching applications. Complementary types are BD438 and BD442.
Transistor, Npn, 60V, 4A, To-225; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:60V; Transition Frequency Ft:3Mhz; Power Dissipation Pd:36W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:20Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD439G
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -17.10%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min25
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation36 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation36 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)60 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen