onsemi BD238STU
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Vertriebspartner
SKU
Min.
Verpackung
Staffelpreise
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD238STU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power 2 Amp 80 V PNP 25W Bipolar Junction Transistor
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,2A I(C),TO-126 ROHS COMPLIANT: YES
BD238 Series PNP 25 W 80 V 2 A Through Hole Epitaxial Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
TRANSISTOR, PNP, -80V, 3MHZ, TO-126-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -80V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 25W; DC Collector Current: -2A; DC Current Gain hFE: 25hFE; Transi
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Bestandsverlauf
Trend in der Bestandsentwicklung nicht verfügbar
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min25
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation25 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen