onsemi BD13816STU
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Verwandte Teile
onsemiBD13810STU
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,1.5A I(C),to-225Aa Rohs Compliant: Yes |Onsemi BD13810STU
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BD13816STU, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 12.5 W, -1.5 A, 100
1.5 A, 60 V PNP Bipolar Power Junctions Transistor
1.5 A, 60 V NPN Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD Series PNP 1.25 W 60 V 1.5 A Through Hole Epitaxial Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-126-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 12.5W; DC Collector Current: ; Available until stocks are exhausted
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.25 W
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen