onsemi BC560CTA
Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 SnapEDA | Fußabdruck | Herunterladen | |
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi BC560CTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 / Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
BC560 Series 45 V CE Breakdown 0.1 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-92
650mV@ 5mA,100mA PNP 500mW 5V 15nA 50V 45V 100mA TO-92-3 8.77mm
Transistor, BIPOL, PNP, -45V, TO-226AA-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:420hFE; Transistor Case Style:TO-226AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen