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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-07-26

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi BC549BTA, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Semicontronic

BC549 Series 30 V 100 mA Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3

Future Electronics

TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,100MA I(C),TO-92 82C0469;

Farnell

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold

Verical

General Purpose Transistor, TO-92, NPN, 30V

Distrelec

TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; T

element14 APAC

Bilder

Rochester Electronics

Distrelec

Conrad

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON Semiconductor / Fairchild
ON SEMICOND
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
onsemi / Fairchild
ON SEMICONDUCTOR CORP
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend: -54.29%

CAD-Modelle

Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen

Alternative Teile

0 Teile verfügbar

Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-92

Contact PlatingTin

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight240 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage600 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Current Rating100 mA

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Gain Bandwidth Product300 MHz

hFE Min200

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current100 mA

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation500 mW

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation500 mW

Schedule B8541210080

Transition Frequency300 MHz

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height8.77 mm

Length4.58 mm

Width3.86 mm