onsemi 3LP01S-TL-E
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2011-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2017-04-18
LTD Date2017-10-18
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN33D8LT-7
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 / N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Diodes Inc.DMN33D8LT-13
MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523 / N-Channel 30 V 115mA (Ta) 240mW (Ta) Surface Mount SOT-523
Beschreibungen
Beschreibungen von onsemi 3LP01S-TL-E, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal MOSFET -30V -0.1A 10.4 Ohm Single P-Channel SMCP
3LP01S-TL-E P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.1 A, 30 V, 3-PIN SMCP
Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin SMCP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
3LP01S - P-CHANNEL SILICON MOSFET;
P 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) SMCP
MOSFET, P CH 30V 0.1A SOT89; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Typ Voltage Vds:30V; Current, Id Cont:0.1A; On State Resistance:10.4ohm; Voltage Vgs Rds on Measurement:4V; Typ Voltage Vgs th:1.4V; Case Style:SMCP; ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance10.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance7.5 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max10.4 Ω
Rise Time55 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time120 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen